Geben Sie ein Wort oder eine Phrase in einer beliebigen Sprache ein 👆
Sprache:
Übersetzung und Analyse von Wörtern durch künstliche Intelligenz ChatGPT
Auf dieser Seite erhalten Sie eine detaillierte Analyse eines Wortes oder einer Phrase mithilfe der besten heute verfügbaren Technologie der künstlichen Intelligenz:
- wie das Wort verwendet wird
- Häufigkeit der Nutzung
- es wird häufiger in mündlicher oder schriftlicher Rede verwendet
- Wortübersetzungsoptionen
- Anwendungsbeispiele (mehrere Phrasen mit Übersetzung)
- Etymologie
PIN diode - Übersetzung nach russisch
A DIODE WITH A WIDE, UNDOPED INTRINSIC SEMICONDUCTOR REGION BETWEEN A P-TYPE SEMICONDUCTOR AND AN N-TYPE SEMICONDUCTOR REGION
P-i-n diode; Pin diode; P-i-n and n-i-p; P-i-n; N-i-p; PIN photodiode; P-I-N; P-i-n junction
PIN diode
общая лексика
регулируемый резистивный диод
p-i-n diode
общая лексика
p-i-n диод
Schottky barrier diode
![1N5819]])<ref name=SS14/>](https://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/SS14 1A DO-214 Schottky diode.jpg?width=200 "1N5819]])<ref name=SS14/>")
![1N5822 Schottky diode with cut-open packaging. The semiconductor in the center makes a [[Schottky barrier]] against one metal electrode (providing rectifying action) and an [[ohmic contact]] with the other electrode.](https://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/Schottky Diode Section.JPG?width=200 "1N5822 Schottky diode with cut-open packaging. The semiconductor in the center makes a [[Schottky barrier]] against one metal electrode (providing rectifying action) and an [[ohmic contact]] with the other electrode.")
DIODE WITH A LOW FORWARD VOLTAGE DROP, FORMED BY A SEMICONDUCTOR–METAL JUNCTION
Schottky barrier diode; Schottky Barrier Diode; Silicon carbide diode; Schotky doide; Shottky diode
общая лексика
диод с барьером Шоттки
Definition
Светоизлучающий диод
светодиод, полупроводниковый прибор (См. Полупроводниковые приборы), преобразующий электрическую энергию в энергию оптического излучения на основе явления инжекционной электролюминесценции (См. Электролюминесценция) (в полупроводниковом кристалле с электронно-дырочным переходом (См. Электронно-дырочный переход), полупроводниковым гетеропереходом (См. Полупроводниковый гетеропереход) либо контактом металл - полупроводник). В С. д. при протекании в нём постоянного или переменного тока в область полупроводника, прилегающую к такому переходу (контакту), инжектируются избыточные носители тока - электроны и дырки; их Рекомбинация сопровождается оптическим излучением. С. д. испускают некогерентное излучение, но, в отличие от тепловых источников света, - с более узким спектром, вследствие чего излучение в видимой области воспринимается как одноцветное. Цвет излучения зависит от полупроводникового материала и его легирования. Применяются соединения типа AIII BV и некоторые другие (например, GaP, GaAs, SiC), а также твёрдые растворы (например, GaAs1-xPx, AlxGa1-xAs, Ga1-xlnxP). В качестве легирующих примесей используются: в GaP-Zn и О (красные С. д.) либо N (зелёные С. д.), в GaAs-Si либо Zn и Te (инфракрасные С. д.). Полупроводниковому кристаллу С. д. обычно придают форму пластинки или полусферы.
Яркость излучения большинства С. д. находится на уровне 103 кд/м2, у лучших образцов С. д. - до 105 кд/м2. Кпд С. д. видимого излучения составляет от 0,01\% до нескольких процентов. В С. д. инфракрасного излучения с целью снижения потерь на полное внутреннее отражение и поглощение в теле кристалла для последнего выбирают полусферическую форму, а для улучшения характеристик направленности излучения С. д. помещают в параболический или конический отражатель. Кпд С. д. с полусферической формой кристалла достигает 40\%.
Промышленность выпускает С. д. в дискретном и интегральном исполнении. Дискретные С. д. видимого излучения используют в качестве сигнальных индикаторов; интегральные (многоэлементные) приборы - светоизлучающие цифро-знаковые индикаторы, профильные шкалы, многоцветные панели и плоские экраны - применяют в различных системах отображения информации (см. Отображения информации устройство), в электронных часах (См. Электронные часы) и калькуляторах. С. д. инфракрасного излучения находят применение в устройствах оптической локации (См. Оптическая локация), оптической связи (См. Оптическая связь), в Дальномерах и т. д. (см. также Оптоэлектроника), матрицы таких С. д. - в устройствах ввода и вывода информации ЭВМ. В ряде областей применения С. д. конкурирует с родственным ему прибором - инжекционным лазером (см. Полупроводниковый лазер), который генерирует когерентное излучение и отличается от С. д. формой кристалла и режимом работы.
Лит.: Берг А., Дин П., Светодиоды, пер. с англ., "Тр. института инженеров по электротехнике и радиоэлектронике", 1972, т. 60, № 2.
П. Г. Елисеев.
Wikipedia
PIN diode
A PIN diode is a diode with a wide, undoped intrinsic semiconductor region between a p-type semiconductor and an n-type semiconductor region. The p-type and n-type regions are typically heavily doped because they are used for ohmic contacts.
The wide intrinsic region is in contrast to an ordinary p–n diode. The wide intrinsic region makes the PIN diode an inferior rectifier (one typical function of a diode), but it makes it suitable for attenuators, fast switches, photodetectors, and high-voltage power electronics applications.
The PIN photodiode was invented by Jun-Ichi Nishizawa and his colleagues in 1950. It is a semiconductor device.
